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您是否在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关芯片？DMN65D8LFB-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能在高达60V的电压和260mA的电流下稳定工作，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅3欧姆@10V）和超小的DFN1006封装，让您轻松实现高效率与小体积的兼得。

它就像您电路中的“高效微型开关”，快速响应（低输入电容）、驱动简单（5V/10V标准驱动电压），并能适应从-55°C到150°C的严苛环境。无论是为便携设备节省每一分电量，还是在紧凑模块中实现可靠的负载控制，它都能让您的设计更高效、更精巧、更具竞争力。

• 型号:DMN65D8LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN65D8LFB-7，Diodes产品一站式供应商。