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您正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关解决方案吗？DMN65D8LFB-7B N沟道MOSFET就是您的理想之选。它能为您做什么？它让您轻松实现高效、可靠的低压信号切换与功率控制。

这颗芯片拥有60V的耐压和260mA的连续电流处理能力，配合低至3欧姆的导通电阻，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。其超小的DFN1006封装，让您能在最紧凑的PCB空间内进行布局，为产品小型化设计扫清障碍。

无论是用于便携设备的负载开关、电池保护电路，还是各类传感器模块的信号通路控制，DMN65D8LFB-7B都能以稳定的表现，确保您的电路高效、精准地运行，助您快速将创新想法转化为成熟可靠的产品。

• 型号:DMN65D8LFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN65D8LFB-7B，Diodes产品一站式供应商。