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还在为复杂的电源或信号切换电路头疼吗？让DMN65D8LW-7来为您化繁为简！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，是专为高效、紧凑型应用设计的微型开关核心。它能轻松处理高达60V的电压和300mA的电流，让您在各种便携设备和精密控制模块中实现稳定可靠的负载驱动与信号通路管理。

它的魅力在于“高效省心”。仅需5V或10V的低驱动电压，即可实现快速、低损耗的开关动作，这得益于其极低的栅极电荷和输入电容。这意味着它能显著降低系统的动态功耗，延长电池寿命，同时减少发热，让您的产品运行更冷静、更持久。其SOT-323超小封装，让您在设计时拥有极大的布局自由度，轻松应对空间极限挑战。

• 型号:DMN65D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN65D8LW-7，Diodes产品一站式供应商。