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还在为电路中的小功率开关选型犹豫不决吗？DMN65D9L-7 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能为您精准、快速地控制电流的通断，其60V的耐压和335mA的电流能力，让您轻松驾驭各类低压电源管理、信号切换和负载驱动任务。

这颗芯片的卓越之处在于其出色的开关特性。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的能量损耗，直接助力您的产品提升能效，延长电池寿命。同时，其4V的低驱动门槛与标准逻辑电平完美匹配，让您的设计变得异常简单，无需额外电路即可由MCU直接驱动。

采用经典的SOT-23封装，DMN65D9L-7在提供可靠性能的同时，为您节省宝贵的电路板空间。选择它，就是为您的项目选择了一份小巧、高效且稳定的核心动力。

• 型号:DMN65D9L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):335mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:41 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN65D9L-7，Diodes产品一站式供应商。