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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？让DMN66D0LDW-7来为您解忧！这颗来自Diodes Incorporated的汽车级双N沟道MOSFET阵列，将两个60V/115mA的开关引擎集成于微小的SOT-363封装内，直接帮您节省超过50%的布局空间。

它拥有低至6欧姆的导通电阻和出色的开关特性，能让您轻松实现高效、低损耗的信号切换与负载驱动，特别适用于对尺寸和可靠性有严苛要求的汽车电子与便携设备。其AEC-Q101认证与宽广的工作温度范围，更是为您产品的稳定运行保驾护航，让设计更省心，性能更出众。

• 型号:DMN66D0LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN66D0LDW-7，Diodes产品一站式供应商。