我们为全球各个行业提供Diodes DMN66D0LT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭低功率开关任务，同时兼顾超高效率和极致紧凑的MOSFET吗？DMN66D0LT-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和115mA的连续电流能力，配合仅5V的低驱动门槛，让您能在电池供电或低电压系统中实现高效、精准的电路通断控制，显著降低静态与动态损耗。

其超小的SOT-523封装让它在寸土寸金的PCB上几乎隐形，却蕴含着强大的性能。极低的导通电阻和输入电容确保了快速的开关响应和低热量产生，让您的设计运行更凉爽、更持久。无论是用于便携设备的电源管理、传感器信号的切换，还是各类低功耗模块的负载控制，它都能让您的系统运行得更智能、更高效。

• 型号:DMN66D0LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN66D0LT-7，Diodes产品一站式供应商。