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DMN66D0LW-7 零件图片(仅供参考)

DMN66D0LW-7
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DMN66D0LW-7 规格参数

还在为电路中的微型开关选型犹豫不决吗?DMN66D0LW-7就是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您精准、可靠地控制小功率负载,无论是点亮LED阵列、驱动微型继电器还是管理传感器电源,它都能轻松胜任。仅需5V的低电压驱动,即可实现高效导通,显著降低系统整体功耗。

凭借其SOT-323的超紧凑封装,它能无缝融入您最精巧的PCB布局,最大化节省空间。同时,高达60V的耐压和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),让它能在各种严苛环境下稳定运行,为您产品的可靠性与耐用性保驾护航。选择它,就是选择了一份让设计更简单、性能更出色的安心保障。

  • 型号:DMN66D0LW-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 115mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):23 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):200mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • DMN66D0LW-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN66D0LW-7 基本参数:

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