我们为全球各个行业提供Diodes DMN67D7L-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否希望为您的下一代紧凑型电子设备注入一颗高效、可靠的“心脏”？DMN67D7L-13 N沟道MOSFET正是您理想的解决方案。它能在高达60V的电压下，精准、高效地控制210mA的电流，其卓越的5V/10V低驱动电压特性，让您轻松实现快速、节能的开关控制。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至5欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。无论是用于便携设备的电源管理、信号切换，还是作为电机驱动的预驱动器，它都能以SOT-23-3微型封装的极小占位面积，帮助您实现高密度、高性能的电路设计，轻松应对从-55°C到150°C的严苛工作环境。

• 型号:DMN67D7L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:570mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN67D7L-13，Diodes产品一站式供应商。