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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？让DMN67D8L-7来为您解决！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电子守门员”，能在高达60V的电压下，以极低的损耗（导通电阻仅5欧姆）精准控制210mA的电流通断。

它采用微型的SOT-23封装，为您节省宝贵的PCB空间，而其超低的栅极电荷和输入电容，让开关动作迅捷无比，显著减少开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于电池供电设备的节能开关，还是信号链路的智能切换，它都能让您的设计运行更凉爽、响应更快速、续航更持久。

• 型号:DMN67D8L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:340mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN67D8L-7，Diodes产品一站式供应商。