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还在为电路板空间不足而烦恼吗？DMN67D8LDW-13正是为您解忧的利器。这颗来自Diodes Incorporated的双N通道MOSFET阵列，以其SOT-363的超紧凑身躯，集成了两路独立的60V、230mA开关通道，让您能在指甲盖大小的空间内，轻松实现复杂的电源切换与信号路径管理。

它凭借低至5欧姆的导通电阻和极低的栅极驱动需求，能显著降低系统的导通损耗和驱动功耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的负载开关、LED驱动，还是信号隔离，它都能让您的设计化繁为简，性能稳步提升，助您快速将可靠的产品推向市场。

• 型号:DMN67D8LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.82nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22pF @ 25V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN67D8LDW-13，Diodes产品一站式供应商。