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还在为空间受限的设计寻找一颗既小巧又强大的功率开关吗？DMN67D8LT-13正是您的理想之选！这颗采用SOT523封装的MOSFET，拥有高达60V的击穿电压，让您能在紧凑的电路板上轻松实现高效、可靠的电源切换与负载控制。

它专为追求高密度与高性能的应用而优化，无论是便携设备中的电池保护电路，还是需要快速响应的DC-DC转换器，DMN67D8LT-13都能以卓越的电气性能，确保您的系统运行更稳定、能效更出色。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“芯”动力。

• 型号:DMN67D8LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN67D8LT-13，Diodes产品一站式供应商。