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您是否正在寻找一颗能在有限空间内高效掌控功率的“核心开关”？DMN67D8LV-13正是为您而来的答案。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有高达60V的漏源击穿电压，专为要求严苛的中低压开关应用而设计。

它能让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更加流畅高效。其优异的电气参数意味着更低的导通损耗和更快的切换响应，直接帮助您提升终端产品的整体能效与可靠性。采用超紧凑的SOT563封装，它为您节省下宝贵的电路板空间，让设计更自由，产品更具竞争力。

• 型号:DMN67D8LV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T\\u0026R
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMN67D8LV-13，Diodes产品一站式供应商。