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还在为有限的电路板空间与苛刻的电源效率要求而烦恼吗？DMN67D8LV-7就是为您破局而来的得力助手。这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET，凭借其高达60V的击穿电压（BVDSS）和紧凑的SOT563封装，专为需要在狭小空间内实现高效、可靠电源开关的应用而设计。

它能为您做什么？简单来说，它让您轻松驾驭各类便携设备和适配器中的电源路径管理。无论是实现快速的负载开关，还是进行高效的DC-DC转换，其优异的性能都能确保能量损失最小化，系统运行更凉爽、更持久。选择它，意味着您能为产品注入一颗高效而强健的“心脏”，显著提升整体能效和可靠性，让设计工作变得更加轻松自信。

• 型号:DMN67D8LV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T\\u0026R
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMN67D8LV-7，Diodes产品一站式供应商。