我们为全球各个行业提供Diodes DMN7022LFG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMN7022LFG-7 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能在高达75V的电压和7.8A的电流下稳定工作，并以低至22毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关设计变得异常轻松。其优异的栅极特性（低Qg）确保了快速、干净的开关动作，极大提升了整体系统响应速度与能效。无论是追求极致紧凑的消费电子，还是要求严苛的工业应用，DMN7022LFG-7都能以出色的性能和可靠性，助您一臂之力。

• 型号:DMN7022LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2737 pF @ 35 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN7022LFG-7，Diodes产品一站式供应商。