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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？DMN90H8D5HCT正是为您而来的高效解决方案！这颗900V耐压的N沟道MOSFET，能让您在开关电源、电机驱动等高压应用中，轻松实现高效、可靠的功率切换。

它拥有2.5A的连续电流处理能力和低至7欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让系统运行更凉爽。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度和低开关损耗，帮助您提升整体能效和功率密度。采用坚固的TO-220AB封装，散热优异，工作温度范围宽广，是您构建稳健高性能系统的理想基石。

• 型号:DMN90H8D5HCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMN90H8D5HCT，Diodes产品一站式供应商。