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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？DMN90H8D5HCTI正是为您而来的解决方案。这颗900V/2.5A的N沟道MOSFET，核心使命就是让您在高压应用中实现高效、可靠的功率切换。其7欧姆的低导通电阻（@10V,1A）能显著降低导通状态下的能量损耗，而优化的动态参数帮助您提升开关频率，让电源设计更紧凑、更高效。

它为您承担起关键开关任务，无论是AC-DC电源中的主开关，还是电机驱动中的桥臂，都能轻松胜任。TO-220AB封装和30W的耗散功率确保了强大的散热能力，让您的系统在持续高负荷下也能稳定运行。选择它，就是选择用一颗高度集成的强大芯片，简化您的设计流程，提升最终产品的性能和市场竞争力。

• 制造商产品型号：DMN90H8D5HCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：900V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
• DMN90H8D5HCTI，Diodes产品一站式供应商。