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您正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时保持冷静与高效的核心开关吗？DMNH10H028SCT正是为此而生。这颗100V/60A的N沟道MOSFET，凭借低至28毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效显著提升。

它专为汽车和工业级应用打造，通过AEC-Q101认证，确保在极端温度下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷特性让开关更迅速、更干净，帮助您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小整体方案尺寸，降低成本。选择它，就是为您的功率路径注入一股强劲而高效的电流。

• 型号:DMNH10H028SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1942 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMNH10H028SCT，Diodes产品一站式供应商。