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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？DMNH10H028SPS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达40A的电流处理能力，而其核心魅力在于仅28毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流开关或电机控制应用中，它能大幅减少能量损耗，将更多电力转化为有效输出，而非令人头疼的热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为挑战而生。无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费类电源，其PowerDI5060-8表面贴装封装都提供了卓越的散热性能和空间利用率。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您轻松实现高频设计，提升功率密度。选择DMNH10H028SPS-13，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力核心，助您轻松突破性能瓶颈，打造更具市场竞争力的解决方案。

• 型号:DMNH10H028SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH10H028SPS-13，Diodes产品一站式供应商。