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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？DMNH10H028SPSQ-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您轻松驾驭100V电压和40A电流，其核心魅力在于28毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，非常适合空间受限的高密度设计。无论是同步整流、电机控制还是DC-DC转换，它都能让您以更少的散热投入，实现更稳定、更高效的性能输出，是工程师打造下一代高性能电源产品的理想选择。

• 型号:DMNH10H028SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2245 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH10H028SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。