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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又具备超高效率的功率开关而烦恼吗？DMNH4005SPSQ-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它专为 demanding 应用而设计，无论是同步整流、DC-DC转换器，还是电机驱动和负载开关，都能轻松胜任。优异的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关性能，帮助您提升系统响应速度。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其卓越的散热特性更能让您从容应对高功率密度设计的挑战。

选择DMNH4005SPSQ-13，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。它让您能够以更小的体积、更高的效率实现强大的功率控制，最终打造出性能出众、竞争力更强的终端产品。

• 型号:DMNH4005SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2847 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH4005SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。