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还在寻找那颗能同时满足高效率、大电流和卓越可靠性的“心脏”吗？DMNH4006SK3-13 N沟道MOSFET正是您的理想答案。它专为 demanding 的开关应用而设计，让您轻松驾驭高达40V的电压和90A的峰值电流，而其低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接为您带来更高效的系统性能和更优的散热表现。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换器、电机驱动器或负载开关设计脱胎换骨。凭借其优化的动态参数（如低栅极电荷），它能实现更快的开关速度，减少开关损耗，从而让您的整体方案更高效、更紧凑。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的高可靠性应用，DMNH4006SK3-13都是您值得信赖的功率核心，助您轻松应对挑战，赢得先机。

• 型号:DMNH4006SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 86A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH4006SK3-13，Diodes产品一站式供应商。