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还在为功率转换效率低下和散热问题烦恼吗？DMNH4006SK3Q-13正是您期待的解决方案！这颗高性能N沟道MOSFET，专为要求严苛的汽车和工业应用而生，它能轻松担当起系统核心开关的角色。

凭借仅6毫欧的超低导通电阻，它能极大降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。高达40V的耐压和20A（Ta）/140A（Tc）的强大电流处理能力，确保它在马达驱动、电源管理等高负荷场景下游刃有余。其AEC-Q101认证和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），更是为您产品的长期可靠性和环境适应性提供了坚实保障。

选择它，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。让DMNH4006SK3Q-13为您解锁更高性能的电源世界！

• 型号:DMNH4006SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 86A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH4006SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。