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还在为高电流开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？DMNH4011SK3Q-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的40V/50A N沟道MOSFET，以其出色的10毫欧低导通电阻，能大幅降低您的系统功耗与发热，直接提升能源利用效率。

它专为汽车电子及高可靠性场景打造，符合AEC-Q101标准，让您的设计轻松应对-55°C至175°C的严酷温度挑战。无论是驱动电机、管理电源分配还是执行快速开关，它都能确保强劲、稳定且高效的性能输出，让您的产品在能效和可靠性上赢得关键优势。

• 型号:DMNH4011SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1405 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH4011SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。