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还在为空间紧张的高功率应用寻找解决方案吗？DMNH4015SSDQ-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想之选。它能让您轻松驾驭高达8.6A的连续电流和40V电压，其低至15毫欧的导通电阻能显著减少发热，提升整体系统效率。

这颗芯片集成了两个高性能MOSFET于紧凑的8-SOIC封装内，特别适合需要高密度布局的电机驱动、电源管理和负载开关应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行，让您的设计更具可靠性和竞争力。

• 型号:DMNH4015SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1938pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.4W，2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMNH4015SSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。