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还在为空间有限的PCB布局寻找高电流开关方案而发愁吗？DMNH4026SSDQ-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它能轻松承载高达7.5A的连续电流，并以低至24毫欧的导通电阻高效工作，显著减少功率损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动设计运行更凉爽、更持久。

这颗芯片集成了两个性能一致的MOSFET于小巧的8-SOIC封装中，为您节省宝贵的板级空间。其优化的栅极特性让开关控制快速而精准，无论是用于同步整流、负载开关还是其他功率路径管理，都能让您轻松实现高效、可靠的系统性能提升。

• 型号:DMNH4026SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 7.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• DMNH4026SSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。