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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、散热强的“能量开关”吗？DMNH6008SCT正是为您而生的解决方案！这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达130A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流通路中，它能将能量损耗降至最低，把更多的电力高效输送给负载，同时显著减少发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它专为应对严苛挑战而设计。无论是汽车中的电机驱动、电池管理，还是工业电源里的DC-DC转换和负载开关，DMNH6008SCT都能轻松胜任。其车规级（AEC-Q101）认证确保了在极端温度和环境下的卓越可靠性，让您的产品品质坚如磐石。经典的TO-220AB封装提供了强大的散热基础，结合其优化的栅极驱动特性，让您能够轻松实现高效、紧凑且稳健的电路设计，大幅提升产品竞争力。

• 型号:DMNH6008SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2596 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMNH6008SCT，Diodes产品一站式供应商。