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还在寻找一颗能同时兼顾高电流、低损耗和卓越可靠性的功率开关吗？DMNH6008SCTQ就是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达130A的电流处理能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它专为 demanding 应用而设计，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到175°C的极端温度下稳定工作。无论是汽车电子中的动力控制，还是工业设备里的高效电源转换，DMNH6008SCTQ都能让您轻松应对挑战，提升系统整体能效和可靠性，是您打造高性能、高竞争力产品的得力助手。

• 型号:DMNH6008SCTQ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2596 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMNH6008SCTQ，Diodes产品一站式供应商。