我们为全球各个行业提供Diodes DMNH6011LK3Q-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率开关的损耗和发热问题烦恼吗？DMNH6011LK3Q-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，能为您轻松驾驭高达80A的大电流，其卓越的低导通电阻特性，能显著减少能量损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的汽车电子和工业应用而生，具备55V的耐压和宽泛的工作温度范围，确保在各种极端环境下稳定可靠。其优化的开关参数，让您能够设计出响应更迅速、效率更高的电路。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的核心动力。

• 型号:DMNH6011LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3077 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH6011LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。