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还在为电源转换效率低下或开关损耗过高而头疼吗？DMNH6012SPSQ-13正是为您解决这些痛点的利器。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达50A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅11毫欧）和优化的开关特性，能显著降低功率损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛环境设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业电源等关键应用中稳定可靠。采用紧凑的PowerDI5060-8封装，既节省空间又利于散热。选择它，就是选择让您的设计轻松实现更高的功率密度和更强的可靠性。

• 型号:DMNH6012SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1926 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6012SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。