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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？DMNH6021SK3-13正是您期待的答案。这颗60V/50A的N沟道MOSFET，凭借其低至23毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升整体能效和功率密度。

它专为要求严苛的应用而生，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到175°C的宽广温度范围内稳定工作，是汽车电子、工业电机驱动和高效电源设计的理想选择。其优化的开关特性让您能轻松设计出响应更快的驱动电路，而TO-252-4L封装则兼顾了出色的散热能力与生产便利性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的性能与可靠性。

• 型号:DMNH6021SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH6021SK3-13，Diodes产品一站式供应商。