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还在为寻找一颗能扛起高功率、高效率重任的开关管而烦恼吗？DMNH6021SK3Q-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有60V/50A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源设计变得前所未有的高效与可靠。

它通过低至23毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接将更多电能用于驱动负载，而非转化为无用的热量，从而让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，优异的开关特性（栅极电荷仅20.1nC）让高速开关成为可能，轻松提升系统整体频率与响应速度。无论是面对汽车电子严苛的AEC-Q101认证要求，还是工业环境中-55°C到175°C的极端温度挑战，它都能稳定胜任，让您的产品底气十足，无惧任何复杂应用场景的考验。

• 型号:DMNH6021SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1143 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMNH6021SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。