还在为空间有限的电路板寻找强大的开关解决方案吗?DMNH6021SPDWQ-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想答案。它集成了两个高性能MOSFET于微小的PowerDI506封装内,让您轻松实现高密度布局,同时提供60V耐压和高达32A的电流处理能力,完美驱动电机、LED或作为负载开关。
这颗芯片能为您大幅提升系统效率。其极低的导通电阻(仅25毫欧)意味着更少的功率损耗和发热,让您的设备运行更凉爽、更持久。优化的开关特性(低栅极电荷)让驱动设计更简单,开关速度更快,响应更迅捷。无论是汽车车身电子、工业自动化还是便携设备,它都能让您的设计更高效、更可靠。
- 型号:DMNH6021SPDWQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8(R 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A(Ta),32A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20.1nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1143pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8(R 类)
- DMNH6021SPDWQ-13,Diodes产品一站式供应商。