我们为全球各个行业提供Diodes DMNH6021SPS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、保持低损耗的“核心开关”吗？DMNH6021SPS-13正是为您而来的答案。这颗60V/55A的N沟道MOSFET，凭借低至23毫欧的导通电阻，能显著降低您的系统开关损耗，直接将更高的效率转化为产品的核心竞争力。

它能让您的电源设计事半功倍。优化的栅极特性让驱动更轻松，有助于提升开关频率，从而缩小外围元件体积。其坚固的PowerDI5060-8封装和汽车级（AEC-Q101）认证，确保它能在-55°C至175°C的严酷环境中稳定工作，为您在汽车电子或工业电源等关键应用中的可靠性保驾护航。

• 型号:DMNH6021SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1016 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），53W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6021SPS-13，Diodes产品一站式供应商。