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您正在寻找一颗能扛起大电流、应对高频率，同时保持冷静与可靠的功率开关吗？DMNH6021SPSQ-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和55A的强大电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅23毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它专为严苛环境打造，具备汽车级AEC-Q101认证，从-55°C到175°C的极端温度下都能稳定工作。同时，优化的栅极电荷与输入电容让开关速度更快，损耗更低，特别适合需要高频切换的先进应用。采用散热优异的PowerDI5060-8封装，帮助您在紧凑的空间内轻松管理功率，提升系统整体可靠性。

• 型号:DMNH6021SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1016 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），53W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6021SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。