我们为全球各个行业提供Diodes DMNH6022SSD-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和节省空间要求的功率开关解决方案吗？DMNH6022SSD-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它集成了两个性能优异的通道，让您能在单颗芯片上实现复杂的开关控制，大幅简化电路设计，节省宝贵的PCB空间。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至27毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效更高。高达60V的耐压和7.1A的连续电流能力，确保它在汽车电源、电机驱动等应用中稳定可靠。其符合AEC-Q101标准，工作温度范围极宽，让您的产品无惧严苛环境挑战，轻松实现高效、紧凑且可靠的设计升级。

• 型号:DMNH6022SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A，22.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2127pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMNH6022SSD-13，Diodes产品一站式供应商。