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还在为功率转换电路的效率瓶颈和空间限制头疼吗？让DMNH6035SPDW-13双N沟道MOSFET阵列为您提供破局之道。这颗芯片能轻松驾驭高达60V电压和33A连续电流，凭借仅35毫欧的超低导通电阻，它能显著减少开关损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉、更高效，直接将电能更多转化为实际性能，而非无谓的热量。

它采用先进的PowerDI506封装，体积小巧却拥有高达68W的强劲功率处理能力，完美适配对空间极其敏感的现代电子设备。无论是提升便携设备的续航，还是强化电机驱动的响应速度，DMNH6035SPDW-13都能让您的设计在性能和尺寸上取得卓越平衡。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠且节省空间的核心动力源。

• 型号:DMNH6035SPDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:879pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.4W（Ta），68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
• DMNH6035SPDW-13，Diodes产品一站式供应商。