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DMNH6042SK3-13 零件图片(仅供参考)

DMNH6042SK3-13
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DMNH6042SK3-13 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的开关器件吗?DMNH6042SK3-13就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/25A的强劲规格,其核心价值在于极低的50毫欧导通电阻,能显著减少功率损耗,让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛环境打造,通过了汽车级AEC-Q101认证,工作结温高达175°C,确保在汽车应用等高要求场景下的稳定表现。采用TO-252-4L封装,易于焊接和散热,让您的PCB布局更灵活,生产更轻松。选择它,就是为您的产品选择了经得起考验的性能基石。

  • 型号:DMNH6042SK3-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 25A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):492 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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DMNH6042SK3-13 基本参数:

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