我们为全球各个行业提供Diodes DMNH6042SPD-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在汽车环境中稳定高效工作的功率开关而烦恼吗？让DMNH6042SPD-13来为您解决难题。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达24A（Tc）的电流承载能力，其核心使命就是让您的电源管理、电机驱动或负载开关应用运行得更流畅、更可靠。

它通过极低的导通电阻（仅50毫欧）和栅极电荷，大幅降低开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统效率。同时，其宽广的工业级温度范围和AEC-Q101汽车认证，确保您的产品即使在极端环境下也能持久稳定工作。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与安心的双重保障。

• 型号:DMNH6042SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:584 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6042SPD-13，Diodes产品一站式供应商。