我们为全球各个行业提供Diodes DMNH6042SPSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的MOSFET吗？DMNH6042SPSQ-13正是您的理想之选。它拥有60V的耐压和24A的连续电流能力，其超低的50毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，而极低的栅极电荷则确保了高速开关性能，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

这颗芯片采用坚固的PowerDI5060-8表面贴装封装，工作温度范围宽达-55°C至175°C，赋予您应对严酷环境挑战的底气。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代紧凑型高功率设备，DMNH6042SPSQ-13都能让您轻松实现设计目标，打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:DMNH6042SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:584 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMNH6042SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。