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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关解决方案吗？DMNH6065SPDW-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的双N沟道MOSFET阵列，以其60V耐压、27A高电流能力和低至65毫欧的导通电阻，让您轻松驾驭从电源转换到电机驱动的各类高要求应用。

它卓越的开关特性（栅极电荷仅9.5nC）能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。同时，其坚固的设计支持高达175°C的结温工作和68W的功率耗散，确保您的产品即使在最严苛的环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMNH6065SPDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（R 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 27A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:466pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.4W（Ta），68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
• DMNH6065SPDW-13，Diodes产品一站式供应商。