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还在为寻找一颗能在低压大电流场景下表现出色的P-MOSFET而烦恼吗？DMP1008UCA9-7正是您期待的解决方案。它能为您做什么？核心就是让您的电源管理变得前所未有的高效与轻松。

这颗芯片拥有高达16A的连续漏极电流承载能力和低至5.7毫欧的导通电阻，意味着在您的便携设备或高密度板卡中，它能以极低的损耗通过大电流，显著减少能量浪费和发热，直接提升系统能效和续航。其2.5V的低驱动电压门槛，让您能轻松兼容多种低压控制信号，设计更加灵活。

同时，其紧凑的X2-DSN1515-9表面贴装封装，专为节省PCB空间而优化，让您在追求产品小型化的道路上毫无后顾之忧。选择DMP1008UCA9-7，就是选择了一个可靠、高效且节省空间的功率开关伙伴，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMP1008UCA9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DSN1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:952 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DSN1515-9
• 封装/外壳:9-SMD，无引线
• DMP1008UCA9-7，Diodes产品一站式供应商。