还在为复杂的电源开关设计而烦恼吗?DMP1009UFDF-13就是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高达15A的电流开关与控制,其低至11毫欧的导通电阻,让您的系统功耗显著降低,效率大幅提升。
它采用超紧凑的U-DFN2020-6封装,为您节省宝贵的电路板空间,同时支持1.8V的低电压驱动,与现代微处理器无缝对接。无论是用于负载开关、电池反接保护还是电源路径管理,它都能让您的设计更简洁、运行更可靠、性能更出众。
- 型号:DMP1009UFDF-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 5A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):44 nC @ 8 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1860 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- DMP1009UFDF-13,Diodes产品一站式供应商。