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还在寻找一颗能兼顾大电流与低损耗的P沟道MOSFET吗？DMP1009UFDF-7就是您的高效开关解决方案。它能让您轻松控制高达15A的负载电流，而其低至11毫欧（@5A, 4.5V）的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，直接提升您终端产品的能效与续航。

这颗芯片专为空间紧凑的现代电子设备而生。其小巧的U-DFN2020-6封装节省了宝贵的PCB面积，而1.8V的低驱动电压让它可以无缝对接各类微控制器和低压逻辑电路，简化您的驱动设计。无论是用于电源切换、电机控制还是负载管理，DMP1009UFDF-7都能以出色的性能和可靠性，助您构建更高效、更紧凑的电源系统。

• 型号:DMP1009UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1009UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。