我们为全球各个行业提供Diodes DMP1009UFDFQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源管理方案既高效又小巧的核心开关吗？DMP1009UFDFQ-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，专为要求严苛的汽车及高效能应用而设计。

它能让您轻松驾驭高达11A的电流，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，显著减少开关过程中的能量损耗和发热，直接提升系统整体能效。其紧凑的U-DFN封装和宽工作温度范围，让您能在空间受限或环境恶劣的设计中，依然实现稳定可靠的性能表现，是优化负载开关、电机驱动和电源路径管理的理想之选。

• 型号:DMP1009UFDFQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1009UFDFQ-13，Diodes产品一站式供应商。