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还在寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与超小封装的P沟道MOSFET吗？DMP1009UFDFQ-7就是为您而来的答案。它能在12V电压下轻松驾驭高达11A的连续电流，而其导通电阻低至惊人的11毫欧，这意味着它能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，非常适合空间极度受限的现代电子设备。同时，它拥有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）并符合汽车级AEC-Q101标准，确保在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。无论是用于电源开关、电机驱动还是负载管理，DMP1009UFDFQ-7都能让您的设计更紧凑、性能更强劲、可靠性更高。

• 型号:DMP1009UFDFQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1009UFDFQ-7，Diodes产品一站式供应商。