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还在为寻找一颗既能处理大电流又易于驱动的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP1011LFV-13正是为您而来的解决方案。它集成了12V的漏源电压和高达19A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅需4.5V驱动电压即可实现11.7毫欧的超低导通电阻，这意味着它能显著减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省电路板空间，其优异的散热设计更能确保在严苛环境下稳定工作。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电机驱动等应用，DMP1011LFV-13都能让您轻松实现高效、紧凑且可靠的设计，全面提升终端产品的性能与市场竞争力。

• 型号:DMP1011LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.7 毫欧 @ 12A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 6 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:913 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.16W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP1011LFV-13，Diodes产品一站式供应商。