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还在为寻找一颗既能处理大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP1011UCB9-7就是为您量身打造的解决方案！它能让您轻松驾驭高达10A的连续电流，同时其超低的10毫欧导通电阻能显著减少开关损耗，直接将高效能转化为您产品的更长续航和更优温控。

这颗芯片能为您做什么？它将成为您负载开关、电源路径管理和电池保护电路中的核心高效开关。凭借其低至1.1V的驱动门槛和优化的动态特性，让您能够使用简单的低压信号实现精准、快速的功率控制，极大简化设计难度。其坚固的U-WLB1515-9封装不仅节省空间，更能确保在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作，为您的各类便携和嵌入式应用提供持久可靠的动力基石。

• 型号:DMP1011UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
• DMP1011UCB9-7，Diodes产品一站式供应商。