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还在为寻找一款既能承载大电流又足够小巧的P通道MOSFET而烦恼吗？DMP1012UFDF-13正是为您量身打造的解决方案。它能让您轻松驾驭高达20A的电流，同时凭借仅15毫欧的超低导通电阻，大幅减少功率损耗和热量产生，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比和空间利用率。它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，特别适合空间受限的便携式和紧凑型设备。其宽工作电压（Vgs ±8V）和优化的开关特性（低Qg和Ciss），让您的设计在实现快速、干净开关动作的同时，简化驱动电路设计。选择它，就是选择为您的电源路径管理注入一股强劲而可靠的核心动力。

• 型号:DMP1012UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.6A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1344 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1012UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。