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还在为寻找一颗能在狭小空间内高效控制大功率的MOSFET而烦恼吗？DMP1012UFDF-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET集12V耐压、高达20A的电流承载能力于一身，却采用了极其紧凑的U-DFN2020-6封装，让您在设计超薄、便携设备时，轻松实现高性能与小型化的完美平衡。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。极低的导通电阻（仅15毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您产品的续航与稳定性。同时，其宽广的工作温度范围和优异的散热特性，确保在各种严苛环境下都能稳定工作。选择DMP1012UFDF-7，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关电路，注入一颗强劲而冷静的“心脏”。

• 型号:DMP1012UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.6A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1344 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMP1012UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。