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还在寻找那颗能同时征服空间限制与性能要求的功率开关吗？DMP1022UWS-7正是为您而来的答案。这颗由Diodes Incorporated精心打造的P沟道MOSFET，拥有12V耐压与7.2A的强大电流承载能力，其核心魅力在于低至18毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为高效开关而优化，仅需1.8V的低电压即可充分驱动，轻松兼容各类低压微处理器和逻辑电路。无论是用于便携设备的负载管理、电源路径切换，还是作为高效的电机驱动开关，它都能让您的系统响应更迅捷，能效比大幅提升。选择DMP1022UWS-7，就是为您的产品选择了一份兼具紧凑尺寸、卓越性能与高可靠性的强大保障。

• 型号:DMP1022UWS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3020-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2847 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3020-8
• 封装/外壳:8-VDFN
• DMP1022UWS-7，Diodes产品一站式供应商。